HGT1S10N120BNS

功能描述:IGBT 晶体管 35A 1200V NPT N-Ch

RoHS:

制造商:Fairchild Semiconductor

配置:

集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V

集电极—射极饱和电压:2.3 V

栅极/发射极最大电压:20 V

在25 C的连续集电极电流:150 A

栅极—射极漏泄电流:400 nA

功率耗散:187 W

最大工作温度:

封装 / 箱体:TO-247

封装:Tube

热门现货
供应商
型号
数量
厂商
批号
封装
交易说明
询价
QQ
  • HGT1S10N120BNS
  • 6121
  • FAIRCHILD
  • 2016+
  • TO263
  • 原装现货,大量现货库存,绝对正品 
  • 立即询价
  • HGT1S10N120BNST 现货
  • 7200
  • Onsemi
  • 21+
  •  
  • 有挂就有原装现货,授权经销,市场最低价 
  • 立即询价
  • HGT1S10N120BNST 现货
  • 7200
  • Onsemi
  • 21+
  •  
  • 有挂就原装现货,市场最低价 
  • 立即询价
  • HGT1S10N120BNS 优势
  • 275
  • FAIRCHILD
  • 14+
  • TO-263
  • 全新原装现货,全网最低,假一罚十 
  • 立即询价
  • HGT1S10N120BNS 优势
  •  
  • 19+
  • TO-263
  • 80000
  • 原装现货价格优势 可开13%增值税发票 
  • 立即询价
  • HGT1S10N120BNS
  • 7200
  • FS
  • 17+
  • 原厂封装
  • 受权代理!全新原装现货特价热卖! 
  • 立即询价
  • HGT1S10N120BNS
  • 12245
  • FAIRCHILD/仙童
  • 22+
  • TO263
  • 现货,原厂原装假一罚十! 
  • 立即询价
  • HGT1S10N120BNS
  • 45000
  • FSC
  • 15+
  • TO-263
  • 全新原装现货!假一赔十! 
  • 立即询价
  • HGT1S10N120BNS
  • 8000
  • FAIRCHILD
  • 2017+
  • TO263
  • 进口原装现货假一赔十 
  • 立即询价
  • HGT1S10N120BNST
  • 16
  • Fairchild Semiconductor
  •  
  • 标准封装
  • 进口原装 1周货期! 
  • 立即询价
  • HGT1S10N120BNST
  • 12800
  • FAIRCHILD
  • 1812+
  • TO263
  • 只做原装进口,现货库存,1PCS起购专业工厂研究所.. 
  • 立即询价
  • HGT1S10N120BNST
  • 5320
  • Fairchild
  • 15+
  • UNKNOWN
  • 原装。我司5月新到现货。欢迎咨询 
  • 立即询价
  • HGT1S10N120BNST
  • 1600
  • ON/优质原装供应商
  • 22+
  • TO263
  • 市场最低 原装现货 假一罚百 可开原型号 
  • 立即询价
  • HGT1S10N120BNS
  • 14800
  • infineon
  • 21+
  • SOT-263
  • 原装正品绝对现货热卖 
  • 立即询价